Žemo dažnio stiprintuvas

Tema	Elektronika
Tipas	Laboratorinis darbas
Aprašymas	Nagrinėsime tik elektroninius žemo dažnio stiprintuvus su dvikrūviais tranzistoriais. Kiekvieną stiprinimo elementą galima pakeisti keturpoliu su dviem įėjimo ir dviem išėjimo gnybtais. Tačiau stiprinimo elementai su dvikrūviais tranzistoriais turi tris elektrodus: emituojantį - emiteris, valdantį - bazė ir valdomą - kolektorius. Atsižvelgiant į tai, kuris elektrodas yra bendras tarp keturpolio įėjimo ir išėjimo gnybtų, galimos trys dvikrūvio tranzistoriaus jungimo schemos. Pati jungimo schema įgyja bendrojo elektrodo pavadinimą.
Patalpinta	2005-08-28
Parsisiuntė	1543
	Parsisiųsti143 KB

Išsamus aprašymas

Tai būtų: bendro emiterio (BE), bendro kolektoriaus (BK), (dažnai ši jungimo schema vadinama emiteriniu kartotuvu) ir bendros bazės schema (BB).
Stiprintuvų palyginimui tarpusavyje bei jų charakrteristikų nustatymui naudojami tokie
stiprintuvo elektriniai parametrai: stiprinimo koeficientas K - išėjimo parametro (įtampos,
srovės, galios) santykis su atitinkamu įėjimo parametru , įėjimo varža Rin, išėjimo varža Riš,
dažninė amplitudės charakteristika , t.y. stiprinimo koeficiento K priklausomybė nuo dažnio
ir t.t.
Kiekviena dvikrūvio tranzistoriaus stiprintuvo jungimo schema turi skirtingus parametrus, kurie lemia šios schemos pntaikymą, kuriant vienokios ar kitokios paskirties stiprintuvus.
Bendro emiterio jungimo schema gerai stiprina srovę bei įtampą, o tuo pačiu ir galia, įėjimo ir išėjimo varžos yra palyginti artimos savo dydžiais, todėl šitokias stiprintuvo pakopas galima įungti pakopiškai be papildomų suderinimo elementų ir gauti dideles stiprinimo koeficientų vertes. Šios schemos trūkumas: didžiausias elektrinių parametrų nestabilumas ir nedidelis aukščiausių stiprinamų signalų dažnis.
Bendro kolektoriaus schema dėl didelio neigiamo grįžtamojo ryšio įtampos nestiprina, o tik ją atkartoja, tačiau ši schema pasižymi labai didele įėjimo ir maža išėjimo varža , gerai stiprina srovę. Ši schema tinka pirminėse stiprintuvų grandyse, kai didelė signalo šaltinio varža, arba galinėse - kai maža apkrovos varža.
Bendros bazės jungimo schema pasižymi maža jėjimo ir labai didele išėjimo varžomis, nestiprina srovės ir gerai stiprina įtampą. Šių stiprinimo pakopų negalima jungti kaskadiškai nepanaudojant papildomų varžų suderinimo grandinių. Praktiškai šios schemos dažniausiai naudojamos aukštadaŽnių signalų stiprinimui.
Dvikrūvis tranzistorius - tai puslaidininkinis prietaisas, galintis generuoti ir
stiprinti elektrinius signalus. Jis susideda iš dviejų n-p sandūrų: emiterinės (bazė-
emiteris) ir kolektorinės (bazė-kolektorius). Dvikrūvis tranzistorius gerai stiprina elektrinius signalus, kai emiterinė sandūra atvira (prijungta tiesioginė įtampa), o kolektorinė uždara (prijungta atgalinė įtampa). Kadangi emiterinė sandūra atvira, tai joje susidaro įtampos kritimas Ube : germanio tranzistoriams (0,1:0,3), o silicio (0,6:0,7) V.
Kiekviena dvikrūvio tranzistoriaus stiprintuvo jungimo schema turi skirtingus parametrus, kurie lemia šios schemos pritaikymą, kuriant vienokios ar kitokios paskirties stiprintuvus.

Raktiniai žodžiai

• stiprintuvo pajungimo schema
• stiprintuvo schema
• stiprintuvu schemos