|
|
Lauko tranzistorių tyrimas
| Tema |
Elektronika |
| Tipas |
Laboratorinis darbas |
| Aprašymas |
Tyrinėti ir pagrįsti lauko tranzistorių veikimo principus ir savybes, išmatuoti įvairių tipų lauko tranzistorių statinių VACh šeimas, kai kuriuos jas apibūdinančius parametrus, išmokti apskaičiuoti tranzistorių parametrus iš ju VACh, išmokti praktiškai apriboti tranzistoriaus darbą leidžiamųjų būvių ar rėžimų ribose, patyrinėti ir pagrįsti darbą paprasčiausiose elektroninėse grandinėse – tranzistoriaus kaip srovės šaltinio, stiprinimo elemento, signalo invertoriaus bei elektroninio jungiklio darbą. |
| Patalpinta |
2005-08-28 |
| Parsisiuntė |
1143 |
|
|
Išsamus aprašymas
Tarptautiniuose termirnų standartuose tranzistoriai (iš angl. transfer + resistor) apibrežiami kaip puslaidininkiniai įtaisai, galintys stiprinti galią ir turintys mažiausiai tris elektrodus.
Lauko tranzistoriai yra elektriniu lauku (įtampa, o ne srove) valdomi rranzistoriai. Viena iš svarbiausių jų vertybių - labai didelė įejimo varža.
Pagal tarptautinius terminų standartus tai yra tranzistoriai, kurių laidižiojo kanalo srovė valdoma tai srovei statmenu elektriniu lauku. Lauko tranzistoriai dar vadinami unipoliariaisiais (aiškiau būtų — vienkrūviais), nes jų veikimą lemia iš esmės tik vienos rūšies krūvininkai – pagrindiniai laisvieji krūvininkai. Turi elektrodus (ir išvadus) ištaką, santaką ir užtūrą, dar pagrindą. Tarp ištakos ir santakos yra arba susidaro valdomasis kanalas. Svarbiausias lauko tranzistoriaus jungimo būdas —jungimas bendrosios ištakos (BI) junginiu.
Valdantysis elektrodas yra užtūra, o ji vienuose tranzistoriuose sudaro su kanalo puslaidininkiu valdančiąją PN sandūrą (PN sandūros lauko tranzistoriuose), rečiau – valdančiąją metalo ir puslaidininkio sandūrą, kituose ji yra metalo sluoksnis, izoliuotas, atskirtas nuo puslaidininkio (izoliuotosios užtūros tranzistoriuose). Izoliuojama labai plonu (<0,1 pm) nenurodomo dielektriko sluoksniu (MDP tranzistoriai) arba oksido sluoksniu, gaunamu oksiduojant pačio puslaidininkio paviršių (MOP tranzistoriai). Labai plonas izoliacinis sluoksnis gali büti pramušamas, susidarius tik kelių dešimčių voltų statinės elektros įtampai, todėl būtinos vidinės ar išorinės apsaugos grandinės.
Izoliuotosios užtūros tranzistoriai skirstomi į indukuotojo (ar indukuojamojo) kanalo ir pradinio kanalo tranzistorius. Visų rūšių tranzistorių kanalas gali būti N arba P tipo (N ir P kanalo tranzistoriai).
Svarbiausi laboratoriniame darbe išsiaiškinami lauko tranzistorių parametrai yra statinis ir darbinis statumai, diferenciailine išėjimo varža (būtų gerai, kad šie dydžiai butų kuo didesni), pradine kanalo srovė IDSS, tranzistoriaus uždarymo (ar atkirtos) Įtampa UGS(off), tranzistoriaus slenkstinė įtampa UGST, tranzistoriaus kaip atidaryto jungiklio varža rDS(on) (pageidautina kuo maižesnė,), paprasčiausios stiprinimo pakopos su tranzistoriumi stiprinimo koeficientas, taip pat didžiausia leidžiamoji santakos srovė, didžiausia leidžiamoji santakos įtampa, didžiausia leidiiamoji santakos sklaidos galia.
Raktiniai žodžiai
- lauko tranzistorius
- lauko tranzistoriai
- lauko tranzistoriaus tyrimas
|
Darbų paieška
Naujausi darbai
Naudingos nuorodos
|