Hibridinio telktinio grandyno topologijos eskizas

Tema	Elektronika
Tipas	Laboratorinis darbas
Aprašymas	Termo vakuuminis garinimas vyksta po vakuuminiu gaubtu garinant medžiagą, kuri nusėda ant plokštelės, kuri yra po tuo pačiu gaubtu, paviršiaus. Fotolitografija pagrįsta šviesai jautrių medžiagų savybe keisti atsparumą tirpikliams, paveikus šviesa. Fotolitografijos procese plokštelė, padengus reikiamu sluoksniu, padengiama fotorezistu, ant jo uždedamas fotošablonas.
Patalpinta	2005-08-17
Parsisiuntė	170
	Parsisiųsti19 KB

Išsamus aprašymas

Taip paruošta plokštelė iš viršaus apšviečiama ultravioletiniais spinduliais. Apšviestas fotorezistas tampa atsparus ėsdinantiems tirpalams, o neapšviestos jo vietos pašalinamos ryškinimo metu ir tose vietose matyti kito sluoksnio plėvelė. Po to plokštelė veikiama ėsdikliu veikiančiu reikalingą sluoksnį, bet neveikiančiu apšviesto fotorezisto. Pašalinamos nereikalingos sluoksnio vietos. Kitu tirpikliu pašalinamas apšviestas fotorezistas, ir plokštelės paviršiuje lieka reikiamo sluoksnio plėvelė tiksliai pakartojanti fotošablono piešinį.
Hibridiniai telktiniai grandynai (HTG) yra sudaryti iš sluoksninių pasyviųjų elementų ir aktyviųjų individualių elementų.
HTG skirstomi į plonasluoksnius (sluoksnio storis neviršija 1m) ir storasluoksnes (sluoksnio storis siekia 1 … 100 m). Aš sudarysiu plonasluoksnį HTG, kadangi reikia naudoti fotolitografinį topologijos gavimo būdą ir terminio garinimo vakuume sluoksnių gavimo būdą, o storasluoksniams HTG šie būdai netaikomi (storasluoksniams HTG sluoksniai sudaromi užtepant įvairias pastas ant pagrindo per sudarytas kaukes).
Dielektriniam pagrindui naudosiu stiklą. Pirmiausiai ant jo, terminio garinimo vakuume būdu, užgarinamas rezistorių sluoksnis (sluoksnio storis užduotį nenurodytas, todėl laikysime, kad jo storis yra standartinis ir buvo panaudotas skaičiuojant to varžinio metalo kvadrato varžą, kuri paimta iš žinyno). Didesnės varžos rezistoriams R2, R3, R4 ir R5, gerai naudoti nichromą. Šis sluoksnis padengiamas fotorezistu. Padaromas fotošablonas minėtiems rezistoriams.Plokštelė padengiama aliuminio ir fotorezisto sluoksniais. Padaromas fotošablonas apatiniams kondensatorių elektrodams ir jų išvadams. Taip pat ir takeliui einančiam iš C1 ir C2 sujungimo į R1. Atliekama fotolitografija, analogiška paaiškinimui aukščiau.
Garinamas dielektriko (SiO) sluoksnis ir vėl gi fotolitografijos būdu pašalinami nereikalingi SiO plotai. Kondensatorių dielektriko aikštelės paliekamos truputį platesnės, kad galima būtų išvesti išvadus nuo viršutinių kondensatorių elektrodų, neužtrumpinant su apatiniais. Taip pat reikia palikti tą oksido vietą, kuri izoliuoja takelių susikirtimą.
Viršutiniai kondensatoriaus elektrodai, likusieji takeliai ir rezistorių kontaktai daromi užgarinant paskutinįjį aliuminio sluoksnį ir fotolitografijos būdu pašalinant nereikalingas jo dalis.
Dabar ant plokštelės tvirtinami bekorpusiai tranzistoriai ir prijungiami jų išvadai. Jie prijungiami įkaitinus ir prispaudus. Taip pat ir prie plokštelės išėjimo išvadų prijungiami mikroschemos išėjimo išvadai. Mikroschemą reikia hermetizuoti, kad ji būtų mechaniškai atsparesnė.

Raktiniai žodžiai

• fotolitografija
• fotorezistas
• vakuuminis garinimas